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产品说明书下载 HAL300差动霍尔效应集成电路
| 产品描述 |
| HAL 300和HAL 320是以CMOS技术生产的差动开关.传感器包括两个主动偏置补偿的温度补偿霍尔片,一个带有施密特触发器的差动放大器,和一个开漏输出晶体管. 差动传感器感应磁场的空间位置变化.差动放大器会放大S1和S2两块霍尔片的霍尔电压.差动信号和施密特触发器中预设的开关值进行比较.相应地,输出晶体管进行开关动作.在HAL300打标面封装前旋转的多极磁环可以产生差动信号,或者在HAL320的封装背面在两个霍尔片产生反偏压.主动偏置补偿使得磁参数在全电压和全温度下都是持续的.该传感器系为汽车和工业应用设计,工作电压从4.5伏到24伏,温度范围从–40 °C up to 170 °C. 有SMD SOT89B 和铅封版 TO92UA两种封装. |
| 框图 - 系统架构 |
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| 这种霍尔效应传感器是霍尔效应传感器是一个带有两个2.25毫米霍尔片的单片集成电路,感应磁场变化进行开关.如果磁通线垂直于感应区域的磁场靠近传感器,霍尔片会按比例输出电压.霍尔电压的差动就和比较器里的实际阀值进行比较.独立于温度的偏置增加霍尔片的供电电压,并且在高温随磁场减弱调整开关点.如果磁场差动超过阀值,开漏输出开关就切换到合适的状态.内置的磁滞消除震动病提供平稳的开关输出性能. |
| 特点: |
| – 霍尔片间距2.05mm – 工作电压: 4.5 V 至 24 V – 开关偏移补偿在62Hz下 – 过电压保护 – VDD-pin反向电压保护 – 短路保护漏极开路输出被热关断 – 工作磁场范围:直流到10kHz – 输出变低用磁场南极接触封装上有标记边,而更高磁通量密度面积S1,如同S2 – 全温度和供电电压范围下磁参数的片上温度补偿电路的最小漂移 – EMC适应DIN40839(放射性干扰级别) |
